電子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家
sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)，sentech多腔系統(tǒng)包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口？梢允褂枚噙_兩個片盒站來增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇。
更新時間:2024-12-20
plasmapro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng)，該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻（rie）工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產(chǎn)別的批量以及300mm晶圓的工藝。
更新時間:2024-12-20
濕法腐蝕和濕法清洗在很早以就已在半導體生產(chǎn)上被廣泛接受和使用，許多濕法工藝顯示了其優(yōu)越的性能。硅片清洗也顯得尤為重要.濕法腐蝕是一種半導體生產(chǎn)中實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移的工藝,由于其高產(chǎn)出,低成本,高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應用.
更新時間:2024-12-20
使用分辨率≤1.2m提供i-line功能適應具有10米聚焦深度的具有挑戰(zhàn)性的過程需求大限度地提高生產(chǎn)率，吞吐量超過75 wph用22 mm的場地尺寸增強與nsr步進器的混合和匹配提供出色的覆蓋性能支持背面對準0.8米
更新時間:2024-12-10
candela 8720高集成表面和光致發(fā)光(pl)缺陷檢測系統(tǒng)可捕捉各種關(guān)鍵的襯底和外延缺陷。利用統(tǒng)計過程控制(spc)方法實現(xiàn)自動化晶片檢測顯著降低了由于外延缺陷造成的產(chǎn)量損失，小化了金屬有機化學氣相沉積(mocvd)反應器工藝偏差，并增加了mocvd反應器的正常運行時間。
更新時間:2024-12-10
candela 8420是一種表面缺陷檢測系統(tǒng)，它使用多通道檢測和基于規(guī)則的缺陷寧濱來檢測不透明、半透明和透明晶圓上的顆粒和劃痕，如砷化鎵(gaas)、磷化銦(inp)、鉭酸鋰、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石和其他化合物半導體材料。8420表面缺陷檢測系統(tǒng)采用有的osa(光學表面分析儀)架構(gòu)，可同時測量散射強度、形貌變化、表面反射率和相移，用于自動檢測和分類各種感興趣的缺陷(doi)。
更新時間:2024-12-10
全球業(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延mbe、有機分子束沉積ombd、等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)pecvd/icp etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等。
更新時間:2024-12-10
全球業(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延mbe、有機分子束沉積ombd、等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)pecvd/icp etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等。
更新時間:2024-12-10
德國總部直接采購heute清潔系統(tǒng)，原裝產(chǎn)品，貨期好，支持選型，為您提供對好的解決方案：赫爾納大連公司在中國設(shè)有10個辦事處，可為您提供好的維修服務。
更新時間:2024-11-06
1、微電腦液晶顯示屏，可在線實時監(jiān)測ro水和up水水質(zhì)2、采用一柱雙芯一體式純化柱，更換簡單，使用壽命長3、監(jiān)控濾芯更換周期，中文顯示濾芯更換信息4、采用原裝進口陶氏反滲透膜和陶氏樹脂，保證產(chǎn)水水質(zhì)進水要求
更新時間:2024-10-25
1、微電腦液晶顯示屏，可在線實時監(jiān)測ro水和up水水質(zhì)2、采用一柱雙芯一體式純化柱，更換簡單，使用壽命長3、監(jiān)控濾芯更換周期，中文顯示濾芯更換信息4、采用原裝進口陶氏反滲透膜和陶氏樹脂，保證產(chǎn)水水質(zhì)進水要求
更新時間:2024-10-25
該設(shè)備針對性地提煉與新能源汽車直接相關(guān)的電工、電子、數(shù)電、模電等方面的核心、必備知識要點，并通過從“基本原理”落地到“在新能源汽車上的具體應用”進行系統(tǒng)性、原理性教學，為學生建立理論基礎(chǔ)及其在新能源汽車領(lǐng)域的應用方法。設(shè)備涵蓋了典型的半導體元器件、基本放大電路、多級放大電路、集成運算放大器電路、脈沖波形產(chǎn)生變換電路、功率放大電路、組合邏輯電路、a/d和d/a轉(zhuǎn)換電路、汽車車前燈模塊等典型元器件與電
更新時間:2024-09-24
該單元應用于各職業(yè)院校、培訓機構(gòu)的電工、電子維修排故訓練設(shè)備。 人機界面采用液晶顯示屏，操作簡單明了，具有很好的互交性。 控制芯片采用stc89c52，輸出部分采用臺灣產(chǎn)繼電器，所有元器件均經(jīng)過嚴格測試。 電路設(shè)計優(yōu)化合理，生產(chǎn)工藝嚴格完善，保證機器的可靠性和穩(wěn)定性。 可設(shè)置更多個故障點（擴容后）。 故障編號可以隨意更改。 每個故障點都可以設(shè)置為開路或短路故障。 設(shè)置的參數(shù)在斷電后不會丟失。 輸出
更新時間:2024-09-24
r2p/r2r微納米結(jié)構(gòu)壓印，納米壓印光刻機，紫外固化壓印機，紫外固化納米結(jié)構(gòu)壓印機 uv固化納米壓印機，紫外固化納米結(jié)構(gòu)壓印機 uv固化納米壓印機
更新時間:2024-09-15
在過去的幾年中，半導體器件和ic生產(chǎn)等微電子技術(shù)已發(fā)展到深亞微米階段及納米階段。為了追求晶片更高的運算速度與更高的效能，三十多年來，半導體產(chǎn)業(yè)遵循著摩爾定律（moore’s law）：每十八個月單一晶片上電晶體的數(shù)量倍增，持續(xù)地朝微小化努力。為繼續(xù)摩爾定律，在此期間，與微電子域相關(guān)的微/
更新時間:2024-09-14
量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備ne-5700/ne-7800量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備ne-5700/ne-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設(shè)備。
更新時間:2024-06-27
nre-4000是一款獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
nre-3500（m）rie反應離子刻蝕機概述：獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
nre-3500（a）全自動rie反應離子刻蝕機概述：獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
nre-3000rie反應離子刻蝕機概述：獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
npc-4000（m）等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門設(shè)計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
npc-4000（a）全自動等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門設(shè)計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用
更新時間:2024-03-28
npc-3500（m）等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子灰化和清洗系統(tǒng)是專門設(shè)計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用
更新時間:2024-03-28
npc-3500（a）全自動等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門設(shè)計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
npc-3000等離子刻蝕機概述：nano-master 等離子灰化和清洗系統(tǒng)是專門設(shè)計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用，從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設(shè)備采用pc控制，可以配套不同的等離子源，加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
nano-master的離子束刻蝕系統(tǒng)具有很強的適應性，可根據(jù)不同的應用而按不同的配置進行建構(gòu)。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應用。用于離子束系統(tǒng)（或稱離子銑系統(tǒng)）的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水冷和背氦冷卻。 nano-master技術(shù)已經(jīng)展示了可以把基片文庫保持在50°c以內(nèi)的能力。通過傾斜和旋轉(zhuǎn)，可以刻蝕出帶斜坡的槽，并且改善了對側(cè)壁輪廓和徑向均勻度的控制。
更新時間:2024-03-28
nie-4000（a）全自動ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在rie系統(tǒng)中完成。然而通過加速的ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時間:2024-03-28
nie-4000（r）ribe反應離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在rie系統(tǒng)中完成。然而通過加速的ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時間:2024-03-28
nie-3500（m）ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設(shè)計易于維護、低成本的優(yōu)勢。所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
nie-3500（a）全自動ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為全自動上下載片，并且通過計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設(shè)計易于維護、低成本的優(yōu)勢。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
nie-3000ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述：該系統(tǒng)為手動放片取片，但通過計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的臺式離子束刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設(shè)計易于維護、低成本的優(yōu)勢。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
nre-4000（icpa）全自動icp刻蝕系統(tǒng)概述：自動上下載片，是帶icp等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，具有高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕能力。可實現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新時間:2024-03-28
ndr-4000（a）全自動drie深反應離子刻蝕概述：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8" icp源。系統(tǒng)可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時間:2024-03-28
ndr-4000（m）drie深反應離子刻蝕概述：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8" icp源。系統(tǒng)可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時間:2024-03-28
nre-4000（icpm）icp刻蝕系統(tǒng)概述：是帶icp等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果？蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕iii-v化合物（如gaas，inp，gan，insb）、ii-vi化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物（如sio2、si3n4、sic、sige）等。
更新時間:2024-03-28
nre-4000是一款獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
fei vion plasma 聚焦離子束系統(tǒng)(fib)能使您的實驗室實力大增，因為只需這一臺使用簡便的設(shè)備便可獲得yi流的光刻和成像性能。采用等離子源技術(shù)的 vion pfib 擁有比傳統(tǒng)鎵 fib
更新時間:2024-03-15
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