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物理氣相沉積設(shè)備產(chǎn)品及廠家

Super-SPECTROS™ 200有機(jī)薄膜沉積和金屬化系統(tǒng)

概述針對(duì)有機(jī)材料沉積進(jìn)行了優(yōu)化多達(dá) 12 個(gè) lte 信號(hào)源;1cc、10cc或35cc容量主體與摻雜劑比 1000：1多達(dá) 4 個(gè)熱蒸發(fā)源基板快門(mén)自動(dòng)基板、掩膜存儲(chǔ)和更換

更新時(shí)間:2024-08-15

該公司產(chǎn)品分類(lèi)：深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

LAB Line磁控濺射鍍膜設(shè)備

kurt j. lesker company lab line uhv 濺射平臺(tái)為磁控濺射沉積應(yīng)用而設(shè)計(jì)。為滿足 uhv 濺射工藝需求而定制的腔室設(shè)計(jì)、具有高編程、負(fù)載鎖定功能的行業(yè)佳軟件控制系統(tǒng)以及用于優(yōu)化薄膜性能的眾多功能是這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)提供的一些優(yōu)勢(shì)。®

更新時(shí)間:2024-08-15

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AL-1 無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備

al-1 無(wú)針孔薄膜沉積設(shè)備通過(guò)交替向反應(yīng)室提供有機(jī)金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應(yīng)沉積薄膜，實(shí)現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。

更新時(shí)間:2024-08-15

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NANO 36™濺射或熱蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

kurt j. lesker company® nano 36™ 是我們優(yōu)化的入門(mén)沉積系統(tǒng)。我們的腔室設(shè)計(jì)特別適合手套箱集成。nano 36 具有更高的功能和更小的占地面積，提供了實(shí)惠的價(jià)格點(diǎn)，同時(shí)保持了您期望從 kjlc 獲得的質(zhì)量。nano 36 與以下沉積技術(shù)兼容：

更新時(shí)間:2024-08-15

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SPECTROS™ 150有機(jī)薄膜沉積和金屬化系統(tǒng)

kurt j. lesker company 的 spectros™ 150 是基于主力 spectros 平臺(tái)的下一代薄膜沉積系統(tǒng)。spectros平臺(tái)在全球擁有100多臺(tái)設(shè)備，是一種成

更新時(shí)間:2024-08-15

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CMS系列電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備

其強(qiáng)大的先進(jìn)研究工具設(shè)計(jì)用于適應(yīng)特定的薄膜應(yīng)用，如 gmr、cms、半導(dǎo)體、納米器件、光子學(xué)和光伏獨(dú)特的系統(tǒng)設(shè)計(jì)可以配置為真正的超高真空性能經(jīng)過(guò)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試和驗(yàn)證的設(shè)計(jì)

更新時(shí)間:2024-08-15

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PRO Line PVD 200多功能濺射、電子束和熱蒸發(fā)沉積平臺(tái)

kurt j. lesker company pro line pvd 200 是一種模塊化、功能齊全的薄膜沉積系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn) 8 英寸晶圓轉(zhuǎn)移、多達(dá) 8 個(gè)濺射陰和 eklipse 高控制軟件。pvd 系列在全球擁有 500 多臺(tái)設(shè)備，是一種成熟、堅(jiān)固且多功能的設(shè)計(jì)，由 pvd 75 和 200 平臺(tái)組成。pro line pvd 200 建立在原始設(shè)計(jì)的成功基礎(chǔ)上，改進(jìn)了系統(tǒng)基礎(chǔ)壓力和抽空

更新時(shí)間:2024-08-15

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Mini SPECTROS沉積和金屬化系統(tǒng)

kurt j. lesker company mini spectros™是基于主力spectros平臺(tái)的下一代薄膜沉積系統(tǒng)。spectros平臺(tái)在全球擁有100多臺(tái)設(shè)備，是一種成熟、堅(jiān)固

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PVD-BATCH DRUMPVD-間歇式滾筒系列

kurt j. lesker company pvd-batch drum系列由兩種標(biāo)準(zhǔn)尺寸（pvd 200 和 pvd 500）組成，可配置為水平或垂直配置。當(dāng)顆粒物是一個(gè)主要問(wèn)題時(shí)，水平配置優(yōu)先。水平和垂直配置均可用于 3d 涂層的雙軸旋轉(zhuǎn)。通過(guò)每次運(yùn)行的沉積面積來(lái)衡量的吞吐量范圍從幾百平方英寸到超過(guò) 2000 平方英寸，并且還提供更大的定制系統(tǒng)。

更新時(shí)間:2024-08-15

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KaLine 8V部件鍍膜設(shè)備

本裝置是在真空狀態(tài)中向產(chǎn)品外部涂層非導(dǎo)體的設(shè)備,在真空內(nèi)產(chǎn)品做自空傳,由能保持一定的膜厚度構(gòu)成的.

更新時(shí)間:2024-08-15

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HVD-1800 Series部件鍍膜設(shè)備

它實(shí)現(xiàn)高大量生產(chǎn)性的高真空基本sputter - 可以生產(chǎn)1batch/900ea以上的產(chǎn)品，以沉積及sputter工序的佳化，提升emi莫品質(zhì) - 證明“沉積-sputter-沉積-sputter”的工序連接的優(yōu)秀性（zero defects化），因精密的機(jī)器設(shè)置及優(yōu)秀的設(shè)備耐用性保持，維護(hù)周期長(zhǎng)，價(jià)格便宜。

更新時(shí)間:2024-08-15

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KaRon 設(shè)備部件鍍膜設(shè)備

本裝置是在真空狀態(tài)下在產(chǎn)品外部涂層非導(dǎo)電體的coating設(shè)備，由真空內(nèi)產(chǎn)品做著自傳，公轉(zhuǎn),并能保持一定的膜厚度.

更新時(shí)間:2024-08-15

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Roll to Roll Sputtering System卷對(duì)卷濺射鍍膜系統(tǒng)

本裝置是在真空狀態(tài)下用于micro phone的厚度為4u film的gold(au)做sputtering的設(shè)備.

更新時(shí)間:2024-08-15

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Ganister™ A 系列8英寸離子束沉積（IBD）設(shè)備

ganister™ a離子束沉積設(shè)備，是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開(kāi)發(fā)的用產(chǎn)品，在硬盤(pán)磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜，靶材選

更新時(shí)間:2024-08-14

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NEXUS物理氣相沉積PVD

veeco 的單靶點(diǎn) nexus pvdi 物理氣相沉積系統(tǒng)為各種薄膜沉積應(yīng)用提供了大的靈活性。nexus pvd 的加工精度為 200 毫米，具有先進(jìn)的工藝能力、無(wú)與倫比的均勻性和多種沉積模式

更新時(shí)間:2024-08-14

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EB700高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成，體現(xiàn)立方整體外觀，適用于超凈間間壁隔離安裝，操作面板一端處在相對(duì)要求較高超凈環(huán)境，其余部分（含低溫泵抽系統(tǒng)）處在相對(duì)要求較低超凈環(huán)境。本系統(tǒng)配有一套電子槍及電源，可滿足在al，ni，ag，pt，pd，mo,cr和ti等多種金屬

更新時(shí)間:2024-08-13

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NEXUS IBD離子束沉積設(shè)備

適用于硬偏置、引線、絕緣層和傳感器堆棧沉積數(shù)據(jù)存儲(chǔ)制造商可以借助 veeco 的第三代 nexus? 離子束沉積（ibd）系統(tǒng)大幅提高 80gb/in2 傳感器的產(chǎn)量，并滿足未來(lái) tfmh 設(shè)備制造的需求。

更新時(shí)間:2024-08-13

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DZ350高真空有機(jī)及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：高真空有機(jī)及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)；真空測(cè)量系統(tǒng)；蒸發(fā)源；樣品加熱控溫；電控系統(tǒng)；配氣系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途：熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過(guò)對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過(guò)程�？稍诟哒婵障抡舭l(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等域。

更新時(shí)間:2024-08-13

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PLD450高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途：脈沖激光沉積(pulsed laser deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)pld)是新近發(fā)展起來(lái)的一項(xiàng)技術(shù)，繼20世紀(jì)80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導(dǎo)薄膜之后，它獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)和潛力逐漸被人們認(rèn)識(shí)和重視。該項(xiàng)技術(shù)在生成復(fù)雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結(jié)果。

更新時(shí)間:2024-08-13

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PC450高真空磁控濺射粉末顆粒表面薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：高真空磁控濺射粉末顆粒表面薄膜沉積系統(tǒng)可以在粉末顆粒狀樣品表面鍍制金屬膜、磁性膜、絕緣膜等，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途：可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的粉末樣品表面鍍制薄膜材料的科研項(xiàng)目。

更新時(shí)間:2024-08-13

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FJL560高真空磁控濺射與離子束復(fù)合薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：本沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)先的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途：用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

更新時(shí)間:2024-08-13

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PLD300高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：系統(tǒng)主要由濺射真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、抗氧化基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途：用于制備超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所進(jìn)行薄膜材料的科研。

更新時(shí)間:2024-08-13

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Linear type磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途：用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

更新時(shí)間:2024-08-13

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JGP450高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途：用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備�？蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

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JGP560高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

更新時(shí)間:2024-08-13

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TRP450高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途：可廣泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

更新時(shí)間:2024-08-13

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SMART磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備用途：用于納米單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備�？蓮V泛應(yīng)用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研項(xiàng)目。

更新時(shí)間:2024-08-13

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PVD500高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：高真空磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)的軟件控制系統(tǒng)。設(shè)備特點(diǎn)：本設(shè)備是一個(gè)鍍膜平臺(tái)，可把

更新時(shí)間:2024-08-13

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EB900高真空電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成，體現(xiàn)立方整體外觀，適用于超凈間間壁隔離安裝

更新時(shí)間:2024-08-13

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NEXUS IBD-LDD 離子束沉積設(shè)備

光掩模制造需要高水平的顆粒控制，同時(shí)沉積復(fù)雜的多層薄膜結(jié)構(gòu)。veeco 的 nexus ibd-ldd 離子束沉積系統(tǒng)可以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。自 1990 年代以來(lái)，veeco 已成功服務(wù)于光掩模市場(chǎng)，多年的學(xué)習(xí)造就了當(dāng)先進(jìn)的系統(tǒng)。ibd-ldd 系統(tǒng)是當(dāng) euv 掩模坯料上的鉬（mo）和硅（si）多層沉積和釕（ru）封端層沉積的理想選擇，以及其他需要低缺陷水平和先進(jìn)薄膜的掩模應(yīng)用。

更新時(shí)間:2024-08-13

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EC400高真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備

ec400真空熱蒸鍍膜儀是一款功能全面的高真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，為薄膜制備與研究設(shè)計(jì)。其核心組件包括真空室、蒸發(fā)源、膜厚監(jiān)測(cè)儀、樣品臺(tái)、真空獲得與測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)，以及先進(jìn)的plc+觸摸屏自動(dòng)控制系統(tǒng)。該設(shè)備采用一體化設(shè)計(jì)，將主機(jī)與控制單元緊密結(jié)合，不僅操作簡(jiǎn)便，而且結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，非常適合實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用。

更新時(shí)間:2024-08-13

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MS450多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

ms450多靶磁控濺射鍍膜系統(tǒng)是一種高真空環(huán)境下的先進(jìn)鍍膜設(shè)備，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、納米技術(shù)、電子工程等多個(gè)域。

更新時(shí)間:2024-08-13

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SMART蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：該設(shè)備主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)；真空測(cè)量系統(tǒng)；蒸發(fā)源；電控系統(tǒng)；配氣系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備用途：熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過(guò)對(duì)鍍膜材料加熱使其

更新時(shí)間:2024-08-13

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DZ450高真空熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品概述：該設(shè)備主要由有機(jī)/金屬源蒸發(fā)沉積室、真空排氣系統(tǒng)；真空測(cè)量系統(tǒng)；蒸發(fā)源；樣品加熱控溫；電控系統(tǒng)；配氣系統(tǒng)等部分組成。該系統(tǒng)可與手套箱對(duì)接。設(shè)備用途：熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件

更新時(shí)間:2024-08-13

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COVAP科瓦普物理氣相沉積平臺(tái)

covap pvd 平臺(tái)為許多過(guò)程應(yīng)用提供了緊湊、經(jīng)濟(jì)且仍然強(qiáng)大的解決方案。為需要安全可靠的工具的實(shí)驗(yàn)室而設(shè)計(jì)，該工具可在緊湊的占地面積內(nèi)生產(chǎn)可重復(fù)的高質(zhì)量薄膜。沉積源被隔離，以減少熱效應(yīng)和交叉污染。covap pvd平臺(tái)配備了一整套可拆卸的腔室屏蔽層，以確保腔室易于清潔和維護(hù)。在腔室打開(kāi)時(shí)，源、功率和氣動(dòng)壓力被切斷，確保了高別的安全性。它可以集成到手套箱中，也可以在獨(dú)立配置中選擇.

更新時(shí)間:2024-08-12

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箱式涂布機(jī)

箱式涂布機(jī)是一種靈活的、與潔凈室兼容的涂布平臺(tái)，能夠從小批量生產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，能夠主動(dòng)建模和校正膜厚不均勻性、材料產(chǎn)量和產(chǎn)量。您的研究目標(biāo)、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用終目標(biāo)將告知如何裝備您的箱式涂布機(jī)。它非常適合各種應(yīng)用，包括金屬化、光學(xué)鍍膜、傳感和銦凸塊鍵合制造。

更新時(shí)間:2024-08-12

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AE EvoVac 物理氣相沉積平臺(tái)

evovac pvd 平臺(tái)可以做任何您需要的事情。它有一個(gè)大腔室，可以配備您需要的任何源或工藝增強(qiáng)。evovac 物理氣相沉積平臺(tái)是我們具可定制性的單腔室平臺(tái)，因此它可以配備用于特定應(yīng)用的工具，也可以成為適合您實(shí)驗(yàn)室中各種獨(dú)特用戶的多功能多源沉積主力。

更新時(shí)間:2024-08-12

該公司產(chǎn)品分類(lèi)：深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

NEXDEPAE物理氣相沉積平臺(tái)

nexdep pvd平臺(tái)在經(jīng)濟(jì)性和多功能性之間取得了平衡。它可以配備強(qiáng)大的工藝增強(qiáng)功能，而不會(huì)占用實(shí)驗(yàn)室的所有空間或預(yù)算。您的研究目標(biāo)、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用終目標(biāo)將告知如何裝備您的 nexdep pvd 平臺(tái)。

更新時(shí)間:2024-08-12

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ESC-101離子槍

通過(guò)采用結(jié)合空心陽(yáng)離子槍和磁控管離子槍的新型離子槍?zhuān)蓪?shí)現(xiàn)了超精細(xì)結(jié)構(gòu)的薄膜。

更新時(shí)間:2024-08-12

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Amod阿莫德物理氣相沉積平臺(tái)

angstrom engineering 的 amod pvd 平臺(tái)是一款物理氣相沉積系統(tǒng)該 pvd 平臺(tái)開(kāi)始允許更大的腔室投射距離，并能夠適應(yīng)更多的工藝增強(qiáng)功能。您的研究目標(biāo)、生產(chǎn)需求和/或應(yīng)用終目標(biāo)將告知如何裝備您的 amod pvd 平臺(tái)。

更新時(shí)間:2024-08-12

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eVictor系列8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)

evictor系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)加熱基座設(shè)計(jì)，具備良好的溫度均勻性，高溫厚鋁工藝連續(xù)作業(yè)無(wú)累溫

更新時(shí)間:2024-06-21

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eVictor Al PVD鋁物理氣相沉積系統(tǒng)

evictor al pvd 鋁物理氣相沉積系統(tǒng)先進(jìn)的磁控濺射系統(tǒng)，有效提高薄膜均勻性及靶材利用率

更新時(shí)間:2024-06-21

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Polaris系列8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)

polaris系列 8英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)多種材料膜層工藝能力，低損傷，高深寬比填充能力

更新時(shí)間:2024-06-21

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Polaris系列12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)

polaris系列 12英寸通用物理氣相沉積系統(tǒng)磁控濺射源和腔室結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)有效提高靶材利用率

更新時(shí)間:2024-06-21

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高真空互聯(lián)物理氣相薄膜沉積系統(tǒng)

概述：沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)好的軟件控制系統(tǒng)；4英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性：≤±2.5%，8英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性：≤±3.5%，測(cè)定標(biāo)準(zhǔn)以ti靶材，濺射200——500nm厚薄膜，邊緣去5mm，隨機(jī)5點(diǎn)取樣測(cè)定為準(zhǔn)。

更新時(shí)間:2024-06-04

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